
Транзистор IGBT 30F131 GT30F131 в корпусе TO263-2 для плазменных панелей 300 В 200 А напряжение насыщения 1,9 В мощность 140 Вт
38 ₴
Минимальная сумма заказа на сайте — 100 ₴
- Готово к отправке
- Код: 671024
+380 (93) 009-97-20
возврат товара в течение 14 дней по договоренности
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Описание:
IGBT транзистор 30F131 GT30F131 в корпусе TO263-2 разработан для применения в плазменных панелях и силовых узлах. Максимальное напряжение коллектор эмиттер 300 В и ток до 200 А подходят для высоких нагрузок. Низкое напряжение насыщения 1,9 В при номинальном токе и мощность 140 Вт снижают потери и нагрев. Корпус TO263-2 удобен для монтажа и теплоотвода. Практичное решение для ремонта и проектов — стабильность заметна уже на испытаниях.
Характеристики:
- Тип: транзистор IGBT
- Модель: 30F131 GT30F131
- Корпус: TO263-2
- Применение: плазменные панели
- Максимальное напряжение коллектор эмиттер: 300 В
- Максимальный ток коллектор эмиттер: 200 А
- Напряжение насыщения при номинальном токе: 1,9 В
- Мощность рассеяния: 140 Вт
Преимущества:
- Высокий ток 200 А для мощных нагрузок
- Низкая Vce(sat) 1,9 В для эффективности
- Компактный корпус TO263-2 для простого монтажа
- Подходит для ремонта плазменных панелей и силовых блоков
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | SAT |
| Страна производитель | Китай |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
Информация для заказа
- Цена: 38 ₴

