Транзистор IGBT 30F131 GT30F131 в корпусі TO263-2 для плазмових панелей 300 В 200 А напруга насичення 1,9 В потужність 140 Вт
38 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 100 ₴
- Готово до відправки
- Код: 671024
Транзистор IGBT 30F131 GT30F131 в корпусі TO263-2 для плазмових панелей 300 В 200 А напруга насичення 1,9 В потужність 140 ВтГотово до відправки
38 ₴
+380 (93) 009-97-20
повернення товару протягом 14 днів за домовленістю
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Опис:
IGBT транзистор 30F131 GT30F131 у корпусі TO263-2 призначений для застосування в плазмових панелях та силових модулях. Підтримує максимальну напругу колектор емітер 300 В і струм до 200 А, що підходить для високонавантажених вузлів. Низька напруга насичення 1,9 В при номінальному струмі та потужність 140 Вт допомагають зменшити втрати та нагрів. Формфактор TO263-2 спрощує монтаж на платі з ефективним відведенням тепла. Оберіть перевірене рішення для ремонту та проєктів — надійність відчувається вже на стенді.
Характеристики:
- Тип: транзистор IGBT
- Модель: 30F131 GT30F131
- Корпус: TO263-2
- Застосування: плазмові панелі
- Максимальна напруга колектор емітер: 300 В
- Максимальний струм колектор емітер: 200 А
- Напруга насичення при номінальному струмі: 1,9 В
- Потужність розсіювання: 140 Вт
Переваги:
- Високий струм 200 А для потужних навантажень
- Низька Vce(sat) 1,9 В для підвищеної ефективності
- Компактний корпус TO263-2 для зручного монтажу
- Підходить для ремонту плазмових панелей та силових блоків
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | SAT |
| Країна виробник | Китай |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
Інформація для замовлення
- Ціна: 38 ₴