Транзистор IGBT FGA25N120 1200 В 50 А з діодом прямий струм 25 А корпус TO-3P n-канальний ізольований затвор чип 25N120 для
78 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 100 ₴
- Готово до відправки
- Код: 671006
Транзистор IGBT FGA25N120 1200 В 50 А з діодом прямий струм 25 А корпус TO-3P n-канальний ізольований затвор чип 25N120 дляГотово до відправки
78 ₴
+380 (93) 009-97-20
повернення товару протягом 14 днів за домовленістю
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Опис:
IGBT транзистор FGA25N120 у корпусі TO-3P поєднує високу напругу 1200 В і струм до 50 А, що робить його придатним для перетворювачів, інверторів та джерел живлення. Ізольований затвор забезпечує зручне керування при напрузі 5.5 В, а вбудований діод із прямим струмом 25 А підвищує надійність у комутаційних режимах. n-канальна структура оптимізує втрати та нагрів. Оберіть надійний компонент для стабільної роботи силових схем — це рішення заощадить час і нерви при проєктуванні.
Характеристики:
- Модель: FGA25N120
- Тип: транзистор IGBT n-канальний з ізольованим затвором
- Максимальна напруга колектор-емітер: 1200 В
- Максимальний струм колектор-емітер: 50 А
- Керуюча напруга затвора: 5.5 В
- Вбудований діод: прямий струм 25 А
- Корпус: TO-3P
Переваги:
- Підходить для силових перетворювачів та інверторів
- Вбудований діод спрощує схему захисту
- Висока напруга і струм для надійної комутації
- Зручний монтаж у стандартному корпусі TO-3P
- Зменшені втрати завдяки n-канальній структурі
Характеристики
| Основні атрибути | |
|---|---|
| Стан | Новий |
| Країна виробник | Китай |
Інформація для замовлення
- Ціна: 78 ₴