
MOSFET AON7410 N-канальний 30 В 24 А DFN 3x3 EP транзистор польовий низький RdsON 2 мОм для ноутбуків зарядних вхідних кіл
39 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 100 ₴
- Готово до відправки
- Код: 671462
+380 (93) 009-97-20
повернення товару протягом 14 днів за домовленістю
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Опис:
N-канальний MOSFET AON7410 у корпусі DFN 3x3 EP підходить для вхідних та зарядних електричних кіл ноутбуків і мобільної електроніки. Максимальна напруга сток-витік 30 В, напруга затвор-витік 20 В, струм стока 24 А. Опір каналу у відкритому стані 2 мОм зменшує втрати, вихідна ємність 110 пФ, розсіювана потужність 20 Вт. Компактний SMD-формфактор полегшує монтаж у щільних платах. Стабільні параметри допомагають підвищити ефективність перетворення енергії — саме те, що цінується в сервісному ремонті.
Характеристики:
- Тип: MOSFET N-канальний
- Корпус: DFN 3x3 EP
- Uds max: 30 В
- Ugs max: 20 В
- Id: 24 А
- RdsON: 2 мОм
- Coss: 110 пФ
- Pd: 20 Вт
- Сфера застосування: вхідні та зарядні ланцюги ноутбуків і мобільної електроніки
Переваги:
- Низький RdsON 2 мОм для зменшення тепловтрат
- Компактний DFN 3x3 EP для щільного монтажу
- Підтримка до 24 А при 30 В для надійної роботи в живленні
- Зручний вибір для ремонту сучасних ноутбуків
Характеристики
| Основні атрибути | |
|---|---|
| Стан | Новий |
| Країна виробник | Китай |
| Виробник | PD |
Інформація для замовлення
- Ціна: 39 ₴

