Кошик
promo_banner

Зараз у компанії неробочий час. Замовлення та повідомлення будуть оброблені з 10:00 найближчого робочого дня (завтра, 07.09).

+380 (93) 009-97-20
Karamell
Кошик

MOSFET AON7410 N-канальний 30 В 24 А DFN 3x3 EP транзистор польовий низький RdsON 2 мОм для ноутбуків зарядних вхідних кіл

39 ₴

Мінімальна сума замовлення на сайті — 100 ₴

  • Готово до відправки
  • Код: 671462
MOSFET AON7410 N-канальний 30 В 24 А DFN 3x3 EP транзистор польовий низький RdsON 2 мОм для ноутбуків зарядних вхідних кіл
MOSFET AON7410 N-канальний 30 В 24 А DFN 3x3 EP транзистор польовий низький RdsON 2 мОм для ноутбуків зарядних вхідних кілГотово до відправки
39 ₴
+380 (93) 009-97-20
+380 (93) 009-97-20
повернення товару протягом 14 днів за домовленістю
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

 

Опис:

N-канальний MOSFET AON7410 у корпусі DFN 3x3 EP підходить для вхідних та зарядних електричних кіл ноутбуків і мобільної електроніки. Максимальна напруга сток-витік 30 В, напруга затвор-витік 20 В, струм стока 24 А. Опір каналу у відкритому стані 2 мОм зменшує втрати, вихідна ємність 110 пФ, розсіювана потужність 20 Вт. Компактний SMD-формфактор полегшує монтаж у щільних платах. Стабільні параметри допомагають підвищити ефективність перетворення енергії — саме те, що цінується в сервісному ремонті.

Характеристики:

  • Тип: MOSFET N-канальний
  • Корпус: DFN 3x3 EP
  • Uds max: 30 В
  • Ugs max: 20 В
  • Id: 24 А
  • RdsON: 2 мОм
  • Coss: 110 пФ
  • Pd: 20 Вт
  • Сфера застосування: вхідні та зарядні ланцюги ноутбуків і мобільної електроніки

Переваги:

  • Низький RdsON 2 мОм для зменшення тепловтрат
  • Компактний DFN 3x3 EP для щільного монтажу
  • Підтримка до 24 А при 30 В для надійної роботи в живленні
  • Зручний вибір для ремонту сучасних ноутбуків
Характеристики
Основні атрибути
СтанНовий
Країна виробникКитай
ВиробникPD
Інформація для замовлення
  • Ціна: 39 ₴